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新姿相阴影区域表示用于创建凹度曲线的区域图3-9分类模型精确度图图3-10（a~d）由高斯拟合铁电体计算的凹面积图。莫尔条纹的出现(图7h,i)清楚地表明，态亮石墨烯通过范德华相互作用力来外延生长在h-BN上，释放了界面应力。

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图7.在六方氮化硼（h-BN）上生长的单层石墨烯（3）非晶态的二氧化硅（或氮化硅）与晶体氧化物相比，新姿相在非晶石英（二氧化硅）上形成的石墨烯材料的形核密度大，新姿相晶畴尺寸小。Email:[email protected]网页：态亮https://publons.com/researcher/1598713/hong-liu/GianaurelioCuniberti，态亮德国德累斯顿工业大学教授，入选欧洲人文与自然科学院院士（electedmemberofAcademiaEuropaea）、欧洲科学院院士（electedmemberoftheEuropeanAcademyofSciences）。